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第一種應用，由PMOS來進行電壓的選擇，當V8V存在時，此時電壓全部由V8V提供，將PMOS關(guān)閉，VBAT不提供電壓給VSIN,而當V8V為低時，VSIN由8V供電。注意R120的接地，該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低，確保PMOS的正常開啟，這也是前文所描述的柵極高阻抗所帶來的狀態(tài)隱患。D9和D10的作用在于防止電壓的倒灌。D9可以省略。這里要注意到實際上該電路的DS接反，這樣由附生二極管導通導致了開關(guān)管的功能不能達到，實際應用要注意。

來看這個電路，控制信號PGC控制V4.2是否給P_GPRS供電。此電路中，源漏兩端沒有接反，R110與R113存在的意義在于R110控制柵極電流不至于過大，R113控制柵極的常態(tài)，將R113上拉為高，截至PMOS,同時也可以看作是對控制信號的上拉，當MCU內(nèi)部管腳并沒有上拉時，即輸出為開漏時，并不能驅(qū)動PMOS關(guān)閉，此時，就需要外部電壓給予的上拉，所以電阻R113起到了兩個作用。R110可以更小，到100歐姆也可。

另外，我們再來MOS管的開關(guān)特性

一、靜態(tài)特性

MOS管作為開關(guān)元件，同樣是工作在截止或?qū)▋煞N狀態(tài)。由于MOS管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓uGS決定其工作狀態(tài)。

工作特性如下：

※ uGS<開啟電壓UT:MOS管工作在截止區(qū)，漏源電流iDS基本為0,輸出電壓uDS≈UDD,MOS管處于“斷開”狀態(tài)，其等效電路如下圖所示。

※ uGS>開啟電壓UT:MOS管工作在導通區(qū)，漏源電流iDS=UDD/(RD+rDS)。其中，rDS為MOS管導通時的漏源電阻。輸出電壓UDS=UDD·rDS/(RD+rDS)，如果rDS《RD,則uDS≈0V,MOS管處于“接通”狀態(tài)，其等效電路如上圖(c)所示。

二、動態(tài)特性

MOS管在導通與截止兩種狀態(tài)發(fā)生轉(zhuǎn)換時同樣存在過渡過程，但其動態(tài)特性主要取決于與電路有關(guān)的雜散電容充、放電所需的時間，而管子本身導通和截止時電荷積累和消散的時間是很小的。下圖 (a)和(b)分別給出了一個NMOS管組成的電路及其動態(tài)特性示意圖。

NMOS管動態(tài)特性示意圖

當輸入電壓ui由高變低，MOS管由導通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為截止狀態(tài)時，電源UDD通過RD向雜散電容CL充電，充電時間常數(shù)τ1=RDCL.所以，輸出電壓uo要通過一定延時才由低電平變?yōu)楦唠娖?當輸入電壓ui由低變高，MOS管由截止狀態(tài)轉(zhuǎn)換為導通狀態(tài)時，雜散電容CL上的電荷通過rDS進行放電，其放電時間常數(shù)τ2≈rDSCL.可見，輸出電壓Uo也要經(jīng)過一定延時才能轉(zhuǎn)變成低電平。但因為rDS比RD小得多，所以，由截止到導通的轉(zhuǎn)換時間比由導通到截止的轉(zhuǎn)換時間要短。

由于MOS管導通時的漏源電阻rDS比晶體三極管的飽和電阻rCES要大得多，漏極外接電阻RD也比晶體管集電極電阻RC大，所以，MOS管的充、放電時間較長，使MOS管的開關(guān)速度比晶體三極管的開關(guān)速度低。不過，在CMOS電路中，由于充電電路和放電電路都是低阻電路，因此，其充、放電過程都比較快，從而使CMOS電路有較高的開關(guān)速度。